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SI4866BDY-T1-E3中文资料

SI4866BDY-T1-E3图片

SI4866BDY-T1-E3外观图

  • 大小:168KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:21.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.3 毫欧 @ 12A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5020pF @ 6V
  • 功率 - 最大:4.45W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)

SI4866BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-28 04:00:52
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